型号: 2N60L-TM3-T
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：44W 类型：N沟道
制造商: UTC(友顺)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 44W
类型: N沟道
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈诚
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：15986776775
Q Q:
联系人：陈生
电话：13713737568
Q Q:
