型号: 2N6667G
功能描述: 达林顿晶体管 10A 60V Bipolar Power PNP
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO: 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 60 V
最大直流电集电极电流: 10 A
最大集电极截止电流: 1000 uA
Pd-功率耗散: 65 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: 2N6667
封装: Tube
直流电流增益 hFE 最大值: 20000
高度: 15.75 mm
长度: 10.53 mm
宽度: 4.83 mm
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 1000
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
单位重量: 6 g
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