型号: 2N7000RLRPG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 1mA
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 60pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds: 25V
功率耗散（最大值）: 350mW（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 5 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-92-3
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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