型号:  2N7002-7-F

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列:  2N

单位重量:  8 mg

高度:  1 mm

长度:  2.9 mm

类型:  Enhancement Mode Field Effect Transistor

宽度:  1.3 mm

最大工作温度:  + 150 C

最小工作温度:  - 55 C

安装风格:  SMD/SMT

配置:  Single

下降时间:  5.6 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

上升时间:  3 ns

Vgs-栅极-源极电压:  20 V

Pd-功率耗散:  300 mW

通道数量:  1 Channel

Id-连续漏极电流:  115 mA

Vds-漏源极击穿电压:  70 V

晶体管类型:  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻:  7.5 Ohms

通道模式:  Enhancement

晶体管极性:  N-Channel

典型关闭延迟时间:  11 ns

正向跨导-最小值:  0.08 S

FET类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss):  60V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）:  115mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:  5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）:  2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:  50pF @ 25V

Vgs（最大值）:  ±20V

功率耗散（最大值）:  370mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）:  7.5 欧姆 @ 50mA，5V

工作温度:  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装

封装/外壳:  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs