型号:  2N7002CK.215

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  60V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  300mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  1.6 Ohm @ 500mA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.5V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  1.3nC @ 4.5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  55pF @ 25V

功率 - 最大：  350mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3TO-236AB

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  0.3 A

RDS -于：  1600@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  8 ns

典型关闭延迟时间：  38 ns

典型下降时间：  22 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Cut Tape

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  350

最大漏源电压：  60

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  1600@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  3(Max)

引脚数：  3

包装高度：  1(Max)

最大连续漏极电流：  0.3

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  300mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.5V @ 250µA

供应商设备封装：  SOT-23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  1.6 Ohm @ 500mA, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  350mW

漏极至源极电压（Vdss）：  60V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  55pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  1.3nC @ 4.5V

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-5982-1

工厂包装数量：  3000

晶体管极性：  N-Channel

源极击穿电压：  +/- 20 V

连续漏极电流：  300 mA

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  1.6 Ohms

功率耗散：  350 mW

最低工作温度：  - 55 C

封装/外壳：  TO-236AB

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  30 V

RoHS：  RoHS Compliant

栅源电压（最大值）：  �20 V

漏源导通电阻：  1.6 ohm

工作温度范围：  -55C to 150C

包装类型：  TO-236AB

极性：  N

类型：  Small Signal

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  60 V