型号:  2N7002DWH6327

功能描述:   MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

Id-连续漏极电流:  300 mA, 300 mA

Vds-漏源极击穿电压:  60 V, 60 V

Rds On-漏源导通电阻:  3 Ohms, 3 Ohms

晶体管极性:  N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  +/- 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.1 V

Qg-栅极电荷:  400 pC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PG-SOT363

封装:  Reel

商标:  Infineon Technologies

通道模式:  Enhancement

配置:  Dual

下降时间:  3.1 ns

正向跨导 - 最小值:  11 S

最小工作温度:  - 55 C

上升时间:  3.3 ns

系列:  2N7002

技术:  -

典型关闭延迟时间:  5.5 ns

典型接通延迟时间:  3 ns

零件号别名:  2N7002DWH6327XT 2N7002DWH6327XTSA1 SP000917596