型号:  2N7002ET3G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

封装/外壳:  SOT-23-3

封装/外壳:  Reel

下降时间:  1.2 ns

最小工作温度:  - 55 C

功率耗散:  300 mW

典型关闭延迟时间:  4.8 ns

晶体管极性:  N-Channel

汲极/源极击穿电压:  60 V

闸/源击穿电压:  ± 20 V

漏极连续电流:  0.26 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:  2500 m0hms

配置:  Single

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

FET 类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:  260mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:  2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  0.81nC @ 5V

Vgs（最大值）:  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:  26.7pF @ 25V

功率耗散（最大值）:  300mW（Tj）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:  2.5 欧姆 @ 240mA，10V

工作温度:  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装

供应商器件封装:  SOT-23-3（TO-236）

封装/外壳:  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs