型号:  2N7002H6327XTSA2

功能描述:  Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET 2N7002H6327XTSA2, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:  300mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:  2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  0.6nC @ 10V

Vgs（最大值）:  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:  20pF @ 25V

功率耗散（最大值）:  500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:  3 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度:  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装

供应商器件封装:  PG-SOT23-3

封装/外壳:  PG-SOT23-3

通道类型:  N

最大连续漏极电流:  300 mA

最大漏源电压:  60 V

最大漏源电阻值:  4 0hms

最大栅阈值电压:  2.5V

最小栅阈值电压:  1.5V

最大栅源电压:  -20 V、+20 V

封装类型:  SOT-23

引脚数目:  3

晶体管配置:  单

通道模式:  增强

类别:  小信号

最大功率耗散:  500 mW

最低工作温度:  -55 °C

最高工作温度:  +150 °C

每片芯片元件数目:  1

长度:  2.9mm

高度:  1mm

系列:  OptiMOS

宽度:  1.3mm

晶体管材料:  Si

典型栅极电荷@Vgs:  0.4 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds:  13 pF @ 25 V

典型关断延迟时间:  5.5 ns

典型接通延迟时间:  3 ns

尺寸:  2.9 x 1.3 x 1mm

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs