型号:  2N7002KT1G

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

FET类型:  N 沟道

技术:  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）:  320mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）:  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）:  2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  0.7nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:  24.5pF @ 20V

Vgs（最大值）:  ±20V

功率耗散（最大值）:  350mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）:  1.6 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度:  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:  表面贴装

封装/外壳:  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package:  SOT-23

极性Polarity:  N-CH

漏源极击穿电压VDSS:  60V

连续漏极电流ID:  0.38A

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:  0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:  24.5pF @ 20V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:  1.6 欧姆 @ 500mA，10V

FET 类型:  N 沟道

漏源极电压（Vdss）:  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:  320mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:  2.5V @ 250µA

无铅情况/RoHs:  无铅/符合RoHs