型号: 2N7002LT7G
功能描述: NFET SOT23 60V 115MA 7.5O
制造商: ON Semiconductor
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 115mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 2.5V @ 250µA
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 50pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 225mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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