型号:  2N7002T-7-F

功能描述:  MOSFET 60V 150mW

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-523-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  115 mA

Rds On-漏源导通电阻:  7.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  150 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.75 mm

长度:  1.6 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  2N7002T

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Enhancement Mode Field Effect Transistor

宽度:  0.8 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  80 mS

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  11 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

单位重量:  2 mg