型号: 2N7002WT3G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 310mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 24.5pF @ 20V
功率耗散（最大值）: 280mW（Tj）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 1.6 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: SC-70-3（SOT323）
封装/外壳: SC-70，SOT-323
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈安定
电话：18101718660
Q Q:
联系人：李先生
电话：13543302665
Q Q:
联系人：何金辉
电话：18923411177
Q Q:
