型号: 2P50G-TN3-R
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：-500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：P沟道
制造商: UTC(友顺)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 2A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 8.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 41W
类型: P沟道
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