型号: 2SA1020-Y(HIT,F,M)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 2A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 500mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 500mA，2V
功率 - 最大值: 900mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装: TO-92MOD
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：刘玉堂
电话：80552133
Q Q:
联系人：苏先生
电话：19520683865
Q Q:
联系人：付小姐
电话：15016992413
Q Q:
