型号:  2SA1145-O(TE6,F,M)

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT Transistor PNP 150V 0.05A

制造商:  Toshiba

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

晶体管类型：  PNP

- 集电极电流（Ic）（最大）：  50mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  150V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  1V @ 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  80 @ 10mA, 5V

功率 - 最大：  800mW

频率转换：  200MHz

安装类型 ：  Through Hole

包/盒 ：  TO-226-3, TO-92-3 Long Body

供应商器件封装：  LSTM

包装材料 ：  Tape & Box (TB)

工厂包装数量：  3000

集电极 - 发射极饱和电压：  - 1 V

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  - 5 V

最大功率耗散：  800 mW

直流集电极/增益hfe最小值：  80

直流电流增益hFE最大值：  240

增益带宽产品fT：  200 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  - 150 V

安装风格：  Through Hole

封装：  Reel

集电极 - 基极电压VCBO：  - 150 V

封装/外壳：  LSTM

集电极最大直流电流：  0.05 A

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  - 50 mA