型号: 2SA1160-B(TE6,F,M)
功能描述: Transistors Bipolar - BJT PNP 10V 2A Transistor
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 3,000
晶体管类型： PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）： 2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 10V
Vce饱和（最大）@ IB，IC： 500mV @ 50mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大）： -
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE： 200 @ 500mA, 1V
功率 - 最大： 900mW
频率转换： 140MHz
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装： LSTM
包装材料 ： Tape & Box (TB)
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