型号: 2SA1162S-GR,LF(D
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 2mA，6V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 80MHz
工作温度: 125°C（TJ）
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: S-Mini
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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