型号: 2SA1163-BL,LF
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Low Freq. Amplification
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-236-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 120 V
集电极—基极电压 VCBO: - 120 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
集电极—射极饱和电压: - 300 mV
增益带宽产品fT: 100 MHz
最大工作温度: + 125 C
系列: 2SA1163
直流电流增益 hFE 最大值: 700
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
Pd-功率耗散: 150 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 12 mg
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