型号:  2SA1182-Y(TE85L,F)

功能描述:   TRAN PNP -30V -0.5A S-MINI

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  500mA

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  200MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  250mV @ 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA (ICBO)

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  30V

供应商设备封装：  S-Mini

封装：  Tape & Reel (TR)

功率 - 最大：  150mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  120 @ 100mA, 1V

其他名称：  2SA1182-Y(TE85LF)TR

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

集电极 - 发射极饱和电压：  0.1 V

晶体管极性：  PNP

最大功率耗散：  150 mW

直流集电极/增益hfe最小值：  70

直流电流增益hFE最大值：  240

增益带宽产品fT：  200 MHz

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  30 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  35 V

最低工作温度：  - 55 C

集电极最大直流电流：  500 mA

配置：  Single

最高工作温度：  + 125 C

RoHS：  RoHS Compliant