型号: 2SA1680(TE6,F,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: 晶体管(BJT) - 单路
系列: -
包装: 带盒(TB)
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 2A
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值): 500mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值): -
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 120 @ 100mA,2V
功率 - 最大值: 900mW
频率 - 跃迁: 100MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3,TO-92-3 长体
供应商器件封装: LSTM
联系人:刘先生,李小姐
电话:13510175077
联系人:唐小姐,朱先生
电话:18802682975
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:刘经理
电话:13381567868
联系人:曹,林
电话:13352984345
联系人:小林
电话:15766460736
联系人:赵小姐
电话:13049883113
联系人:Sam
联系人:黄先生
电话:15986772093
联系人:李华南
电话:13725887773