型号: 2SA1680(TE6,F,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带盒（TB）
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 2A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 500mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 @ 100mA，2V
功率 - 最大值： 900mW
频率 - 跃迁： 100MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装： LSTM
联系人：柯小姐
电话：13417122760
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：王
电话：13631598171
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：小柯
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联系人：Sam
Q Q:
联系人：罗建飞
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Q Q:
