型号: 2SA1680(TE6,F,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带盒（TB）
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 2A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 50V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 500mV @ 50mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 120 @ 100mA，2V
功率 - 最大值： 900mW
频率 - 跃迁： 100MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装： LSTM
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：柯先生
电话：15072058203
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
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联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：孙
Q Q:
联系人：刘新
电话：17673093037
Q Q:
