型号:  2SA1832-GR(T5L,F,T

功能描述:   Transistors Bipolar - BJT -150mA -0.3V

制造商:  Toshiba

集电极最大直流电流：  0.15

最小直流电流增益：  200@2mA@6V

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  125

标准包装名称：  SSM

最低工作温度：  -55

最大功率耗散：  100

最大基地发射极电压：  5

Maximum Transition Frequency ：  80(Min)

封装：  Tape and Reel

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  50

供应商封装形式：  SSM

最大集电极发射极电压：  50

类型：  PNP

引脚数：  3

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  150mA

晶体管类型：  PNP

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  80MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  300mV @ 10mA, 100mA

电流 - 集电极截止（最大）：  100nA (ICBO)

标准包装：  3,000

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  50V

供应商设备封装：  SSM

功率 - 最大：  100mW

封装/外壳：  SC-75, SOT-416

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  200 @ 2mA, 6V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  2SA1832-GR(T5LFT)CT

工厂包装数量：  10000

增益带宽产品fT：  80 MHz (Min)

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  PNP

发射极 - 基极电压VEBO：  - 5 V

最大功率耗散：  100 mW

直流集电极/增益hfe最小值：  200

直流电流增益hFE最大值：  400

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  50 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  - 50 V

集电极最大直流电流：  0.15 A

配置：  Single

最高工作温度：  + 125 C

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  - 150 mA