型号: 2SA1931,NETQ(M
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 5A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 400mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 1A，1V
功率 - 最大值: 2W
频率 - 跃迁: 60MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220NIS
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：曾凯
电话：13312958426
Q Q:
联系人：刘小姐
电话：13622673179
Q Q:
联系人：朱春游
电话：18902310817
Q Q:
联系人：方先生
电话：13631554132
Q Q:
