型号: 2SA1955FVATPL3Z
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 8,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 400mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 12V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 250mV @ 10mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 300 @ 10mA，2V
功率 - 最大值： 100mW
频率 - 跃迁： 130MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SC-101，SOT-883
供应商器件封装： CST3
其它名称： 2SA1955FV-A(TPL3,Z2SA1955FVATPL3ZTR
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：程先生
电话：18127076503
Q Q:
联系人：韩冰
Q Q:
联系人：朱春游
电话：18902310817
Q Q:
