型号: 2SA1972(TE6,F,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带盒（TB）
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 400V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 1V @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 140 @ 20mA，5V
功率 - 最大值： 900mW
频率 - 跃迁： 35MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装： LSTM
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：吴新
Q Q:
联系人：张
电话：15921761256
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：010-62654269
Q Q:
联系人：何志平
电话：15307359078
Q Q:
