型号: 2SA1972(TE6,F,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带盒（TB）
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 400V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 1V @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 140 @ 20mA，5V
功率 - 最大值： 900mW
频率 - 跃迁： 35MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装： LSTM
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：吴
电话：18928405783
Q Q:
联系人：曾
电话：18968228899
Q Q:
