型号: 2SA2012-TD-E
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 30V
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 30 V
集电极—基极电压 VCBO: - 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 5 V
集电极—射极饱和电压: - 140 mV
最大直流电集电极电流: - 5 A
增益带宽产品fT: 350 MHz
最大工作温度: + 150 C
系列: 2SA2012
直流电流增益 hFE 最大值: 560
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 200
Pd-功率耗散: 3.5 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 51.570 mg
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