型号:  2SA2029T2LR

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR PNP GEN. PURPOSE HFE RANK 'R'

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  - 50 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  - 6 V

集电极—射极饱和电压:  - 0.5 V

最大直流电集电极电流:  - 0.15 A

增益带宽产品fT:  140 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  2SA2029

直流电流增益 hFE 最大值:  560

高度:  0.5 mm

长度:  1.2 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  0.8 mm

商标:  ROHM Semiconductor

集电极连续电流:  - 0.15 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  120

Pd-功率耗散:  150 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  8000

子类别:  Transistors