型号: 2SA2120-R(Q)
功能描述: Trans GP BJT PNP 200V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
制造商: toshiba
包装： 3TO-3PN
类型： PNP
引脚数： 3
最大集电极发射极电压： 200 V
集电极最大直流电流： 12 A
最小直流电流增益： 55@1A@5V
最大工作频率： 25(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压： 3@0.8A@8A V
工作温度： -55 to 150 °C
最大功率耗散： 200000 mW
安装： Through Hole
标准包装： Bulk
工厂包装数量： 50
增益带宽产品fT： 25 MHz (Typ)
产品种类： Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性： PNP
发射极 - 基极电压VEBO： 5 V
直流集电极/增益hfe最小值： 55 at 1 A at 5 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO： 200 V
安装风格： Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO： 200 V
封装/外壳： TO-3P
配置： Single
最高工作温度： + 150 C
RoHS： RoHS Compliant
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