型号: 2SA949-Y(TE6,F,M)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 150V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 800mV @ 1mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 70 @ 10mA，5V
功率 - 最大值: 800mW
频率 - 跃迁: 120MHz
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装: TO-92MOD
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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