型号: 2SB1229T
功能描述: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
制造商: Sanyo
Series: -
Package: Bulk
Transistor Type: PNP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Power - Max: 750 mW
Frequency - Transition: 150MHz
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device Package: 3-NP
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