型号:  2SB1260T100P

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR PNP 80V 1A

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

晶体管极性:  PNP

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  80 V

集电极—基极电压 VCBO:  - 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

最大直流电集电极电流:  1 A

增益带宽产品fT:  100 MHz

最大工作温度:  + 150 C

系列:  2SB1260

直流电流增益 hFE 最大值:  82 at 100 mA, 3 V

高度:  1.5 mm

长度:  4.5 mm

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

宽度:  2.5 mm

商标:  ROHM Semiconductor

集电极连续电流:  - 1 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:  82

Pd-功率耗散:  2000 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  1000

子类别:  Transistors

单位重量:  130.500 mg