型号: 2SB1481(TOJS,Q,M)
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 4A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 100V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 1.5V @ 6mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）: 2µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 2000 @ 3A，2V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220NIS
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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