型号: 2SC2235-O(TE6,F,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带盒（TB）
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 800mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 120V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 100mA，5V
功率 - 最大值： 900mW
频率 - 跃迁： 120MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装： LSTM
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：朱先生
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联系人：易先生
电话：18673966974
Q Q:
