型号: 2SC2235-O(TE6,F,M)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 带盒（TB）
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 800mA
电压 - 集射极击穿（最大值）： 120V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 80 @ 100mA，5V
功率 - 最大值： 900mW
频率 - 跃迁： 120MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装： LSTM
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：宁先生
电话：13142358999
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：曾舒媚
电话：13682318582
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：王先生
电话：010-82967677
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联系人：田德光
电话：181-26040415
Q Q:
