型号: 2SC5066-O,LF
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: 2SC5066
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V
最大工作温度: + 125 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-416-3
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
直流电流增益 hFE 最大值: 240 at 10 mA at 5 V
商标: Toshiba
增益带宽产品fT: 7 GHz
最大直流电集电极电流: 30 mA
Pd-功率耗散: 100 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 6 mg
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