型号: 2SC5354-1(F)
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor NPN 800V 5A
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-N-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 800 V
集电极—基极电压 VCBO: 900 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
最大直流电集电极电流: 5 A
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: 2SC5354
直流电流增益 hFE 最大值: 60
商标: Toshiba
集电极连续电流: 5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 15
Pd-功率耗散: 100 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
单位重量: 5.500 g
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