型号: 2SC6042,T2HOSH1Q(J
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 1A
电压 - 集射极击穿（最大值）: 375V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 1V @ 100mA，800mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 100 @ 100mA，5V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: SC-71
供应商器件封装: MSTM
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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