型号:  2SCR523EBTL

功能描述:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN General Purpose Amplification Transistor

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  EMT-3F-3

晶体管极性:  NPN

配置:  Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:  50 V

集电极—基极电压 VCBO:  50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:  5 V

集电极—射极饱和电压:  0.1 V

最大直流电集电极电流:  200 mA

增益带宽产品fT:  350 MHz

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  2SCR523EB

直流电流增益 hFE 最大值:  560 at 1 mA, 6 V

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  ROHM Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:  120

Pd-功率耗散:  150 mW

产品类型:  BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:  3000

子类别:  Transistors

零件号别名:  2SCR523EB