型号: 2SD1221-Y(Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装： 200
类别： 分立半导体产品
家庭： 晶体管（BJT） - 单路
系列： -
包装： 散装
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 3A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 60V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）： 1V @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）： -
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 500mA，5V
功率 - 最大值： 1W
频率 - 跃迁： 3MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PW-MOLD
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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联系人：曾先生
Q Q:
联系人：付强
Q Q:
联系人：孙家林
电话：15010158565
Q Q:
联系人：廖海伦
电话：15918847737
Q Q:
