型号: 2SD2525(TP,Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 1,000
类别: 分立半导体产品
家庭: 晶体管(BJT) - 单路
系列: -
包装: 带盒(TB)
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 3A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值): 1V @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): -
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 100 @ 500mA,5V
功率 - 最大值: 1.8W
频率 - 跃迁: 3MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3(SMT)标片
供应商器件封装: TPL
联系人:刘子书
联系人:廖先生,连敏妹
电话:18898775818
联系人:欧阳先生
电话:18948794636
联系人:朱小姐
电话:13652405995
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联系人:陈先生
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联系人:蔡永记
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联系人:Sam
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联系人:钟小姐
Q Q: