型号: 2SJ182S
功能描述: Trans MOSFET P-CH 60V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S)-(1)
制造商: renesas electronics
包装： 3DPAK(S)-(1)
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 60 V
最大连续漏极电流： 3 A
RDS -于： 400@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 5 ns
典型上升时间： 30 ns
典型关闭延迟时间： 160 ns
典型下降时间： 85 ns
工作温度： -55 to 150 °C
安装： Surface Mount
标准包装： Rail / Tube
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