型号: 2SJ201-Y(F)
功能描述: MOSFET MOSFET P-Ch 200V 12A Rdson 0.625 Ohm
制造商: Toshiba
Rohs： Lead free / RoHS Compliant
标准包装： 100
FET 型 ： MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点： Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）： 200V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C： 12A
Rds（最大）@ ID，VGS： -
VGS（TH）（最大）@ Id： -
栅极电荷（Qg）@ VGS： -
输入电容（Ciss）@ Vds的： 1500pF @ 30V
功率 - 最大： 150W
安装类型 ： Through Hole
包/盒 ： TO-3PL
供应商器件封装： TO-3P(L)
包装材料 ： Bulk
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