型号: 2SJ221-E
功能描述: Silicon P Channel MOS FET
制造商: RENESAS [Renesas Technology Corp]
电流, Id 连续: 20A
电压, Vds 最大: 100V
在电阻RDS（上）: 220mohm
阈值电压, Vgs th 典型值: -2V
功耗, Pd: 75W
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
功率, Pd: 75W
功耗: 75W
封装类型: TO-220AB
引脚节距: 2.54mm
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
电压, Vds 典型值: -100V
电流, Idm 脉冲: 80A
表面安装器件: 通孔安装
阈值电压, Vgs th 最高: -2V
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