型号: 2SJ244
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：50mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 6A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 50mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.5W
类型: P沟道
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：武盈盈
Q Q:
联系人：郑小美
电话：18682458060
Q Q:
联系人：罗晓彬
电话：13719082314
Q Q:
