型号: 2SJ319L-E
功能描述: Trans MOSFET P-CH 200V 3A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1)
制造商: Renesas Technology
连续漏极电流： 3 A
栅源电压（最大值）： �20 V
功率耗散： 20 W
安装： Through Hole
工作温度范围： -55C to 150C
引脚数： 3 +Tab
极性： P
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
通道模式： Enhancement
漏源导通电压： 200 V
弧度硬化： No
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