型号: 2SJ352-E
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 800pF @ 10V
功率 - 最大值： 100W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装： TO-3P
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：危小姐
电话：18820193420
Q Q:
联系人：高灵能
电话：15338798846
Q Q:
