型号: 2SJ360(F)
功能描述: MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-62-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1 A
Rds On-漏源导通电阻: 730 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
高度: 1.6 mm
长度: 4.6 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: 2SJ360
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 2.5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
联系人:Alien
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:王静
电话:13261242936
联系人:廖女士
电话:13267152167
联系人:崔
电话:15118069264
联系人:郭先生
电话:18620376149