型号: 2SJ378(TP,Q)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
标准包装: 2,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带盒(TB)
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 190 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 630pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.3W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3(SMT)标片
供应商器件封装: TPS
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