型号: 2SJ383
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12.9A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：43mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.7W 类型：P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 12.9A
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 43mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 2.7W
类型: P沟道
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：汪红兵
电话：14771195949
Q Q:
联系人：姚小姐
电话：17718930235
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
