型号:  2SJ412(SM,Q)

功能描述:   MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm

制造商:  Toshiba

标准包装：  50

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  100V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  16A

Rds（最大）@ ID，VGS：  210 mOhm @ 6A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  48nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1100pF @ 10V

功率 - 最大：  60W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  TO-220SM

包装材料 ：  Tube;;其他的名称；

最大门源电压：  ±20

欧盟RoHS指令：  Compliant

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

标准包装名称：  TO-220SM

最低工作温度：  -55

渠道类型：  P

最大漏源电阻：  210@10V

最大漏源电压：  100

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  TO-220SM

最大功率耗散：  60000

最大连续漏极电流：  16

引脚数：  3

铅形状：  Gull-wing