型号: 2SJ412(SM,Q)
功能描述: MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm
制造商: Toshiba
标准包装: 50
FET 型 : MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点: Standard
漏极至源极电压(VDSS): 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C: 16A
Rds(最大)@ ID,VGS: 210 mOhm @ 6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id: 2V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS: 48nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的: 1100pF @ 10V
功率 - 最大: 60W
安装类型 : Surface Mount
包/盒 : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装: TO-220SM
包装材料 : Tube;;其他的名称;
最大门源电压: ±20
欧盟RoHS指令: Compliant
最高工作温度: 150
通道模式: Enhancement
标准包装名称: TO-220SM
最低工作温度: -55
渠道类型: P
最大漏源电阻: 210@10V
最大漏源电压: 100
每个芯片的元件数: 1
供应商封装形式: TO-220SM
最大功率耗散: 60000
最大连续漏极电流: 16
引脚数: 3
铅形状: Gull-wing
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