型号: 2SJ518AZTR-E
功能描述: Pch MOSFET,60V,2A,0.35ohm,UPAK
制造商: Renesas Electronics
通道类型: P
最大连续漏极电流: 4 A
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 630 m0hms
最大栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: SC-62
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 4
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 1 W
尺寸: 4.5 x 2.5 x 1.5mm
宽度: 2.5mm
最高工作温度: +150 °C
晶体管材料: Si
典型输入电容值@Vds: 220 pF@ -10 V
典型关断延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
高度: 1.5mm
长度: 4.5mm
每片芯片元件数目: 1
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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