型号: 2SJ542-E
功能描述: 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET
制造商: Renesas Electronics (瑞萨电子)
封装: TO-220AB
极性: P-CH
漏源极电压(Vds): 60V
连续漏极电流(Ids): 18A
安装方式: Through Hole
包装方式: Tube
RoHS标准: Compliant
产品生命周期: Active
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